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800/1064nm光纤耦合光电导天线，零色散尾纤

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太洛推出的光纤耦合太赫兹发射源与探测器支持宽带工作，可配套标准太赫兹时域光谱（THz-TDS）实验系统使用（见下图）。

本系列太赫兹发射 / 探测器均预装高阻硅超半球透镜，透镜与光电导天线（PCA）一体化装配，用于提升太赫兹波向自由空间辐射的效率。可提供两款标准透镜，分别适配准直出射与发散出射两种太赫兹光束输出模式：

>准直型光束透镜：实验搭建简便，发射源与探测器之间无需额外光学元件；缺陷是太赫兹球差较大，会削弱光束聚焦性能。

>发散型光束透镜：光电导天线安置于透镜消球差点位，大幅抑制球差，最终可获得接近衍射极限的太赫兹光斑。

上图太赫兹时域光谱测试系统根据泵浦激光波长，器件选用低温生长砷化镓（LT-GaAs）或稀铋砷化镓（GaBiAs）作为光电导基底材料。两类材料分别在 800 nm、1060 nm 波段具备超高光电灵敏度，且载流子寿命均短于 1 皮秒，可产生、探测频谱带宽最高达 4 THz 的超短半周期太赫兹脉冲。

零色散光纤传导泵浦光省去繁琐光路调试，大幅提升实验灵活性；可快速切换透射、反射等多种测试光路构型。发射源与探测器集成紧凑型金属外壳，兼容行业通用 1 英寸光学调整架。每台器件出厂均经过性能全检，随货附带含完整测试数据的技术合格证。

光纤耦合发射源 / 探测器可直接安装于 1 英寸标准光学调整架

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光电导天线专为太赫兹发射、探测功能设计。砷化镓衬底上刻蚀台地型 GaBiAs 外延有源层，实现极高暗态绝缘电阻；材料光电响应灵敏度优异，仅需低平均功率激光脉冲即可完成激励。天线表面采用金锗镍合金金属化工艺，制备共面赫兹型偶极天线结构（见下图）：

光电导芯片焊接于电路板（PCB），整体封装在金属机壳内部；机壳背部 SMA 射频接口用途：

产品规格参数

参数类别	参数项	发射源型号		探测器型号
		EMT-08-FC	EMT-10-FC	DET-08-FC	DET-10-FC
光电导天线	光电导基底材料	LT-GaAs	GaBiAs	LT-GaAs	GaBiAs
	晶圆尺寸	5 × 1.5 mm
	晶圆厚度	600 μm
	天线结构	微带天线		偶极天线
	最大偏置电压	50 V，典型工作电压 40 V
	中心太赫兹频率	~0.5 THz		0.5 THz
	可探测太赫兹带宽	—		最高 5 THz
集成聚焦透镜	透镜材质	高阻硅（HRFZ-silicon）
	透镜外形	超半球型
	太赫兹光束输出	准直光束 / 发散光束可选		—
光纤光路	适配激光波长	800±40 nm	1060±40 nm	800±40 nm	1060±40 nm
	标配光纤长度 ¹	1±0.1 m
	光纤输入端最大光功率 ²	＜100 mW
	光纤接头	FC/PC

注：

¹ 可按需定制其他光纤长度；

² 适配激光脉冲重复频率范围：10–100 MHz；可选配前置信号放大器。

配套提供零色散特种光纤：飞秒激光脉冲在光纤输入、输出端波形与时宽几乎无畸变。激光经由 FC/PC 光纤接头导入器件，再通过机壳内置透镜聚焦至光电导天线芯片。